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爱发科开发出硬盘TMR元件成膜工艺

DATE	2007/08/23

　　【日经BP社报道】

通过使膜厚变得均匀，成功地降低了上层MgO隔离膜等的弯曲

通过改用Kr，成功地降低了生产流程压力

　　爱发科（ULVAC）开发出了在200mm晶圆上均匀形成反铁磁性膜的技术，用于制造构成硬盘磁头的TMR元件。利用此技术，“能够提高制造面记录密度为500G～800Gbit/平方英寸硬盘所需TMR元件的生产效率”（该公司）。

　　为了提高硬盘的面记录密度，曾有使用Mn₃Ir作为反铁磁性膜的技术方案。不过问题在于，要提高Mn₃Ir的磁特性，需要将生产流程的压力提高到1.0Pa以上。其结果是膜厚以及膜成分的均匀性会降低。此次爱发科通过将使用的气体从Ar改为Kr，从而解决了该课题。

　　具体是通过将Ar改为Kr，把形成Mn₃Ir时的压力，降低到以前的1/20以下、即约0.04Pa。由于能够在低压下成膜，因此，膜厚以及膜成分的标准偏差（σ）从以前的10％以上降到了0.5％以下。另外还确保了磁特性中的面内均匀性。

　　局部改进爱发科的量产专用溅镀装置“MagestS200”就可应用此次开发的成果。通过提高TMR元件生产效率的技术方案，“有助于增加溅镀装置的销量”（爱发科）。此次的成果不仅可用于TMR元件，还可用于MRAM。（记者：河合基伸）

■日文原文
アルバック，HDD用TMR素子向けの成膜プロセスを開発

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