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【SID】韩国三星SDI公布氧化物半导体TFT驱动12.1英寸有机EL面板的技术细节

DATE	2008/05/23

　　【日经BP社报道】

图1：采用氧化物半导体IGZO材料的TFT12.1英寸有机EL面板

图2：所开发产品的面板结构

图3：与非晶硅及低温多结晶硅的比较

　　韩国三星SDI开发出了采用氧化物半导体IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT12.1英寸有机EL面板，并在“SID 2008”上公布了技术细节（演讲序号：3.1）。该面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半导体的有源矩阵型TFT阵列和有机EL元件。

　　此次开发的有机EL面板的像素为1280×768像素（WXGA），分辨率为123ppi（图1，参阅本站报道）。亮度为300cd/m²，对比度为2万：1。采用底部发光结构，光从TFT底板侧取得。有机EL材料采用的是低分子材料。但红色用磷光材料，绿色和蓝色采用荧光材料。

　　TFT的掩膜数量为7片（图2）。像素间距为69μm×207μm，像素电路由2个TFT和1个电容器构成。采用底栅结构，栅极、源极及漏极的电极材料采用Mo，栅极绝缘膜采用SiOx/SiNx，并使用了现有的光刻制造技术。IGZO TFT的迁移率为17.2cm²s，开关比为10⁸以上，亚阈值斜率（S值）为0.28V/decade。

　　三星SDI指出，采用IGZO的TFT其优势在于可以着手量产大尺寸玻璃底板（图3）。使用此次的TFT制作方法，甚至可以支持第8代底板。（记者：佐伯真也）

■日文原文
【SID】韓国Samsung SDIが，酸化物半導体TFT駆動の12.1型有機ELパネルの詳細を明らかに

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