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【SID】友达光电在第6代生产线上试制出使用微晶Si-TFT的32英寸液晶面板

DATE	2008/05/28

　　【日经BP社报道】

图1：展出采用微晶硅制成的32英寸液晶面板

　　友达光电（AUO）使用由第6代大尺寸底板生产线的等离子CVD装置形成的微晶硅，试制出了32英寸电视用TFT液晶面板（图1）。该公司在展会上展出了这种新面板，并在研讨会上介绍了其技术内容（演讲编号：24.3）。

　　与非晶硅（a-Si）TFT相比，采用微晶Si-TFT有可能获得更高的迁移率。另外，还可实现用多晶硅（p-Si）TFT难以实现的、基于第5代以后大尺寸底板的工艺（图2）。使用微晶硅制成的TFT，只需等离子CVD工序即可形成，而且近年来其在薄膜太阳能电池领域的应用也越来越广泛，这些都推动了微晶Si-TFT的开发（图3）。

　　在硅氮化膜上形成微晶硅时，通过实施真空中的界面处理，可消除界面附近产生的多孔质层，得到平滑的膜（图4）。通过拉曼（Raman）分光分析后显示，这种平滑膜的结晶度达到60％，与不进行界面处理时的17％相比，有大幅改善。应力试验的结果也表明，与不进行界面处理时相比，获得了更稳定的特性（图5）。

　　在此次试制中，迁移率仍较低，仅为0.5cm²·V-1·s-1，但该公司今后将力争实现比a-Si更高的迁移率，并同时集成外围电路。目前面临的课题是进一步提高结晶度。

　　友达光电在展会上展出了使用这种微晶硅制成的32英寸WXGA电视用TFT液晶面板（图1）。（特约撰稿人：北原洋明）

图2：微晶硅与非晶硅、多晶硅的比较

图3：微晶硅的应用

图4：由有无界面处理形成的膜在断面结构上的差异

图5：与非晶硅比较由有无界面处理形成的可靠性差异

■日文原文
【SID】微結晶Si-TFTを使った32型液晶パネル，AUOが第6世代ラインで試作

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