【IDF】“开45nm先河” 英特尔公开新处理器Penryn和Silverthorne
| DATE | 2007/04/20 |
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【日经BP社报道】
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| 使用45nm工艺的“Penryn”的试制晶圆 |
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| 使用45nm工艺制造“Penryn”和“Silverthorne” |
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| “Penryn”产品计划概要。面向服务器和台式机,分别推出了双核产品和四核产品。面向笔记本电脑等移动市场推出了双核产品 |
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| 在45nm工艺方面新导入了高介电常数(high-k)栅绝缘膜和金属栅 |
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| 目前,4家工厂正在推进45nm工艺生产线的启动 |
“45nm工艺的实用化具有历史性意义。不再像此前那样单纯追求细微化,而是全面改进晶体管结构。”(英特尔)。 英特尔此次将在45nm工艺方面新引进高介电常数(high-k)栅门绝缘膜和金属栅门。演讲中反复强调了导入新材料的意义。比如,与65nm工艺相比,除可将导通与截止时的耗电减少30%之外,还有助于减少泄漏电流。可将集成度和导通与截止速度各提高至2倍。英特尔今后投产的45nm工艺产品将全部使用新晶体管技术。
英特尔在主题演讲中,还提到了45nm工厂的启动情况。在07年下半年,美国俄勒冈州的“Fab D1D”和亚利桑那州的“Fab 32”将开始投产。另外,在08年上半年,以色列的“Fab 28”将开始投产,在08年下半年,墨西哥的“Fab 11X”将开始投产。(记者:堀切 近史)
■日文原文
【【IDF】「45nmで先陣を切る」,新プロセサのPenrynやSilverthorneを公開
英特尔试制45nm工艺SRAM芯片 07年量产处理器
“45nm工艺将不使用液浸曝光” 英特尔延长干式ArF曝光使用期限
英特尔45nm工艺试制芯片成功通过OS运行测试
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