韩国海力士开发出符合LPDDR2规格的800Mbps 1Gbit移动DRAM--技术在线!

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韩国海力士开发出符合LPDDR2规格的800Mbps 1Gbit移动DRAM

DATE	2008/04/09

　　【日经BP社报道】

韩国海力士半导体符合DDR2规格的1Gbit移动DRAM

　　韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.）开发出了DDR2方式的1Gbit移动DRAM，电源电压为1.2V，实现了800Mbps的最大数据传输速度（英文发布资料）。主要面向高性能的便携终端。

　　该产品符合JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）正在制定最终标准的LPDDR2（Low Power DDR2）规格。采用66nm工艺技术制造。封装尺寸为9mm×12mm。预定2008年第四季度开始量产。（记者：小笠原阳介）

■日文原文
韓国Hynix社，LPDDR2仕様に準拠した800Mビット/秒の1GビットのモバイルDRAMを開発

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