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英特尔计划使采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极的45nm处理器完全无铅化

DATE	2007/05/31

　　【日经BP社报道】美国英特尔宣布了使采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜与金属栅极的45nm级处理器“Hi-k”产品群实现完全无铅化的方针。45nm级的Hi-k产品群中包括新一代的“Core 2 Duo”、“Core 2 Quad”、“Xeon”产品群。该公司计划2007年下半年开始生产无铅的45nm级Hi-k产品。

　　铅（Pb）目前应用于将芯片连接到封装底板的部分等，但该公司45nm级Hi-k产品中完全没有使用铅。此外，计划08年使65nm级的芯片组也实现完全无铅化。作为目前所使用的Sn（锌）-Pb共晶焊锡的替代品，将使用Sn-Ag（银）-Cu（铜）类无铅焊锡。

　　该公司技术与制造事业部副总裁兼封装测试技术发展总监Nasser Grayeli表示，“本公司针对铅的禁用、产品能源效率的提高、温室气体排量的降低、水与原材料的再利用等环境问题正在积极采取措施”。

　　作为实现无铅化的措施之一，英特尔于02年首次开始生产无铅的闪存产品。于04年开始供应铅使用量比此前的微处理器以及芯片组封装降低95％的产品。（记者：加纳征子）

■日文原文
米Intel社，high-kゲート絶縁膜とメタルゲートを採用した45nm世代プロセサ製品を完全Pbフリー化

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