利用自旋电子学技术实现待机时零耗电的集成电路(2008/08/28)

　　日本东北大学电气通信研究所与日立制作所利用自旋电子学技术和硅技术，试制成功了运算功能和非易失性内存功能一体化的集成电路…… （详见全文）

奇梦达开始量产PS3用XDR DRAM(2008/08/28)

　　德国奇梦达（Qimonda AG）与美国Rambus共同宣布，奇梦达已开始面向索尼计算机娱乐家用游戏机“PlayStation 3（PS3）”…… （详见全文）

海力士开发16GB的DDR3 2-Rank R-DIMM，使用MetaRAM的技术增大容量(2008/08/26)

　　韩国海力士半导体开发成功了存储容量16GB的DDR3 2-Rank Registered DIMM（R-DIMM）“HMT32GR7AER4C-GD”…… （详见全文）

美国飞索委托中芯国际生产43nm“ORNAND2”(2008/08/26)

　　美国飞索（Spansion）美国时间2008年8月21日宣布，将扩大与中国中芯国际有关闪存生产委托的合同协议…… （详见全文）

专访：TSMC将制造何种MEMS产品，产能如何？(2008/08/26)

　　台湾积体电路制造宣布将开始从事MEMS代工业务。记者就此采访了该公司MEMS项目经理Robert Chin-fu Tsai…… （详见全文）

【IDF】英特尔发布配备x86内核的电视机用SoC，三星和东芝决定采用(2008/08/25)

　　美国英特尔在旧金山举行的2008年英特尔秋季开发者论坛（IDF 2008 Fall）上，发布了配备Pentium M处理器内核的家电用多媒体处理SoC“CE 3100”…… （详见全文）

德国Novaled AG开发出可实现CMOS型有机晶体管电路的半导体层(2008/08/25)

　　德国Novaled AG开发出了制作CMOS型有机晶体管电路的技术。通过将自主开发的由杂质添加技术形成的并五苯（Pentacene）层…… （详见全文）

美国就硅通孔应用领域扩大面临的课题展开讨论(2008/08/25)

　　美国出现了一股硅通孔技术热。在今年7月的“SEMICON West 2008”上，举行了题为“It’s a 3D World: Charting the Path to TSV”的TSV技术相关会议…… （详见全文）

安华高科技以40nm技术制造的SerDes IC实现数据传输速度20Gbps(2008/08/25)

　　美国安华高科技(Avago Technologies)宣布，以40nm工艺技术试制的SerDes（Serialize/Deserialize）IC，实现了20Gbit/秒的数据传输速度…… （详见全文）

美光发布32GB嵌入式NAND闪存“e-MMC”(2008/08/25)

　　美国美光科技发布了嵌入式32GB NAND闪存“e-MMC”。e-MMC是集存储芯片和控制器LSI于一体的“Managed NAND”的一种…… （详见全文）

iSuppli调查：美光在疲软的NAND闪存市场上实现大幅增长(2008/08/25)

　　美国iSuppli公布了2008年第二季度NAND闪存的全球市场调查结果。整个市场的销售额比上年同期增长10.4％…… （详见全文）

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