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恒忆与海力士决定把NAND闪存的合作开发计划延长5年

DATE	2008/08/19

　　【日经BP社报道】瑞士恒忆（Numonyx B.V.）和韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于2008年8月6日宣布，就两公司NAND闪存升级产品和技术开发合作计划延长5年达成了意向（英文发布资料）。根据此意向，两公司将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化。

　　恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示，“凭借与海力士半导体的专业技术互补，将会提高我们在无线领域NAND闪存的竞争力”。

　　同时，两公司还宣布将进行手机用移动DRAM的合作。将合作开发多芯片封装（MCP）中与非易失性内存同时配备的移动DRAM。目前，两公司正在中国进行使用300mm晶圆生产低耗电移动DRAM的合作。通过这项合作，两公司可提供成本更低、耗电更少的MCP产品。

　　韩国海力士半导体于2008年4月曾推出了符合LPDDR2（低功耗DDR2）规格的1GB移动DRAM。（记者：加纳征子）

■日文原文
スイスNumonyx社と韓国Hynix社，NANDフラッシュの共同開発プログラムを5年間延長

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