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IBM等5公司联手开发并确认22nm工艺SRAM

DATE	2008/08/20

　　【日经BP社报道】美国IBM与4家合作伙伴企业以及美国纳米科学与工程学院（CNSE）共同开发出22nm工艺SRAM，并确认可正常工作。证实22nm SRAM可正常工作“为业界首次”（IBM）。此SRAM是在坐落于CNSE的IBM开发基地“Albany NanoTech”的300mm生产线上试制的。

　　与IBM共同开发的4家合作伙伴为：美国先进微电子器件（AMD）、美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）以及东芝。22nm工艺的SRAM通过改进单元设计和电路布局，提高了工作稳定性。单元面积为0.1μm²，比32nm工艺的单元面积缩小约30％。

　　此次的工艺技术有以下七个重点：（1）具备边带附近工作函数的高介电率（high-k）栅极绝缘膜/金属栅极：（2）栅极长度小于25nm的晶体管；（3）薄隔离层；（4）新的离子注入方式；（5）尖端退火技术；（6）超薄硅化物；（7）镶嵌Cu触头。在此次开发中，光刻采用了高数值孔径（high-NA）的液浸曝光技术。

　　IBM等的开发团体将于2008年12月15～17日在美国旧金山举行的“2008 International Electron Devices Meeting（2008 IEDM）”上发表这一成果。（记者：大下淳一)

■日文原文
IBMら5社連合，22nm世代のSRAMの動作を確認

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