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【EU PVSEC】夏普公布可削减制造成本50％的晶圆制造方法

DATE	2008/09/05

　　【日经BP社报道】

左侧是学会会场。右侧建筑是展示会场

　　夏普发表了可将制造成本减半的晶圆制造方法（2BO.3.1：New Wafer Technology for Crystalline Sillicon Solar Cell）。该公司已建立了使用传送带等的自动化生产线，是“量产水平的技术”（发表者）。

　　制造方法如下。首先，令底板与熔化的硅接触，使硅附着在底板表面。之后，将附着的硅剥离，并以激光切削剥离的片状硅的周围部分，使成合适的尺寸。而激光切削下来的硅可熔化再利用。发布时用视频演示了制造过程，但没有公开剥离附着硅的方法。

　　该方法的开发历时10年，产品的外形尺寸达156mm×156mm，产量高达1825cm²/分。每8秒钟就可以制造一片晶圆。晶圆厚300μm。制造成本仅为现有铸造法制造的约200μm厚晶圆的50％。转换效率在2006年就已达到14.8％。现在的转换效率值没有公开，但表示，由42片晶圆组成的模块的最大输出功率达到了144W。（记者：河合基伸）

■日文原文
【EU PVSEC】シャープ，製造コストを50％削減できるウエーハ製造手法を発表

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