夏普发表了可削减制造成本50%的晶圆制造方法(2BO.3.1:New Wafer Technology for Crystalline Sillicon Solar Cell)…… (详见全文)
韩国海力士支持300mm晶圆的高密度NAND闪存制造工厂竣工
为庆祝位于韩国清州市(Cheongju)、支持300mm晶圆的新生产楼“M11”的建成,韩国海力士半导体于当地时间08年8月28日邀请政府官员等举行了竣工典礼…… (详见全文)
兼松决定成立太阳能电池硅晶圆加工公司,正式进入该领域。加工公司注册资金为3亿日元。预定2008年9月中旬开业。生产规模按发电量换算…… (详见全文)
韩国三星电子宣布,已开始样品供货面向小型低价位个人电脑、使用多值NAND的小容量SSD。体积缩小为2.5英寸SSD的30%…… (详见全文)
日本SEMI发表了以“向450mm晶圆过渡的5大误区”为题目的翻译报道。该报道称,目前并不是向450mm晶圆过渡的最佳时期,“并且该时期恐怕今后也不会来临”…… (详见全文)
台湾无厂ASIC/SoC厂商世芯电子(Alchip Technologies Ltd.)宣布,已就该公司将系统级封装(SiP)的封装工序委托给索尼半导体业务本部一事,与索尼达成了协议…… (详见全文)
富士通微电子与台湾南亚科技(Nanya Technology)就DRAM相关的专利纠纷达成和解,并于2008年9月2日签订了专利授权协议。根据该协议,富士通将撤销要求禁止进口南亚科技DRAM产品的诉讼,并在美国终止对南亚科技的法律诉讼…… (详见全文)
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